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FJP13007H1TU-F080 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

描述:

FJP13007: NPN芯片晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FJP13007H1TU-F080 数据手册 (5 页)

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FJP13007H1TU-F080 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

最小电流放大倍数

8 @2A, 5V

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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FJP13007H1TU-F080 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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FJP13007H1TU-F080 符合标准

FJP13007H1TU-F080 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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