FMG3 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100~600 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •Emitter common(dual digital transistors) •Two DTC143T chips in a EMT or UMT or SMT package. •Mounting cost and area can be cut in half. 描述与应用| 特点 •发射极普通的（双数字晶体管） •两个DTC143T的在EMT或UMT或SMT封装的芯片。 •安装成本和面积可减少一半