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SI2315BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

VISHAY SI2315BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2315BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI2315BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

P-Channel

功耗

750 mW

漏源极电压(Vds)

-12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.00 A

上升时间

35 ns

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

SI2315BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI2315BDS-T1-GE3 符合标准

SI2315BDS-T1-GE3 数据手册

SI2315BDS-T1-GE3 其他数据使用手册

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9 页 / 0.2 MByte

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