Web Analytics
Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > FP50R12KT4GB15BOSA1 Datasheet 文档
FP50R12KT4GB15BOSA1
21.892
FP50R12KT4GB15BOSA1 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FP50R12KT4GB15BOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
35 Pin
封装
ECONO3-3
功耗
280 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
2.8nF @25V
额定功率(Max)
280 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
280000 mW

FP50R12KT4GB15BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
122 mm
宽度
62 mm
高度
17 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FP50R12KT4GB15BOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.8 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.2 MByte

FP50R12KT4GB15 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
Infineon FP50R12KT4GB15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z