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FP50R12KT4 数据手册

型号系列:
FP50R12KT4 系列
分类:
IGBT晶体管
描述:
EconoPIM2模块海沟/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPIM2 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
更新于: 2023/01/13 02:13:45 (UTC + 8)

FP50R12KT4 IGBT晶体管 数据手册

#1
FP50R12KT4

FP50R12KT4

数据手册 (13 )
2.7
Infineon(英飞凌)
#2
FP50R12KT4G

FP50R12KT4G

数据手册 (13 )
2.1
Infineon(英飞凌)
#3
FP50R12KT4_B11

FP50R12KT4_B11

数据手册 (13 )
1.4
Infineon(英飞凌)
#4
FP50R12KT4B11BOSA1

FP50R12KT4B11BOSA1

数据手册 (12 )
1.7
Infineon(英飞凌)

FP50R12KT4 数据手册 IGBT晶体管

12
Infineon(英飞凌)
Infineon FP50R12KT4GB15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FP50R12KT4GBOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
12
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
11
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module

FP50R12KT4 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
23 Pin
封装
AG-ECONO2-4
额定功率
280 W
功耗
280 W
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