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FQA11N90C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQA11N90C 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQA11N90C 数据手册 (8 页)

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FQA11N90C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

900 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-3-3

漏源极电阻

1.10 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

130 ns

输入电容值(Ciss)

3290pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

85 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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FQA11N90C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQA11N90C 符合标准

FQA11N90C 海关信息

FQA11N90C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.05 MByte

FQA11N90C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.8 MByte

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8 页 / 0.69 MByte

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QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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