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IRF7807VTRPBF
器件3D模型
1
IRF7807VTRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7807VTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
8.30 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
25 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7807V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
8.30 A
上升时间
1.20 ns
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7807VTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7807VTRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.1 MByte

IRF7807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
芯片组为DC- DC转换器 Chip-Set for DC-DC Converters
Infineon(英飞凌)
IRF7807ZTRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7807VPBF SO-8
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 11A
International Rectifier(国际整流器)
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