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FQA40N25
1.426
FQA40N25 数据手册 (8 页)
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FQA40N25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-3-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.051 Ω
极性
N-Channel
功耗
280 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
40.0 A
上升时间
580 ns
输入电容值(Ciss)
4000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
280 W
下降时间
165 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 W

FQA40N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
18.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQA40N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.85 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.91 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

FQA40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA40N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
FQA40N25 系列 250 V 40 A 70 mOhm N-沟道 QFET® MOSFET - TO-3PN
Freescale(飞思卡尔)
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