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FQAF11N90C
3.715
FQAF11N90C 数据手册 (8 页)
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FQAF11N90C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
900 V
额定电流
11.0 A
封装
SC-94
漏源极电阻
910 mΩ
极性
N-Channel
功耗
120 W
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
上升时间
130 ns
输入电容值(Ciss)
3290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
120 W
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120W (Tc)

FQAF11N90C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQAF11N90C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.61 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.9 MByte

FQAF11N90 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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