Web Analytics
Datasheet 搜索 > ON Semiconductor(安森美) > FQB34P10TM-F085 Datasheet 文档
FQB34P10TM-F085
2.786
FQB34P10TM-F085 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FQB34P10TM-F085 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-2
上升时间
250 ns
输入电容值(Ciss)
2240pF @25V(Vds)
下降时间
210 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3750 mW

FQB34P10TM-F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FQB34P10TM-F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.73 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte

FQB34P10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
汽车 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z