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FQB4N80TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB4N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQB4N80TM 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

FQB4N80TM 数据手册 (9 页)

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FQB4N80TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

3.90 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

130 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

880pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.13 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.13W (Ta), 130W (Tc)

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FQB4N80TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQB4N80TM 符合标准

FQB4N80TM 海关信息