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FQB55N06TM
0.88
FQB55N06TM 数据手册 (9 页)
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FQB55N06TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
55.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
20 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.75 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
55.0 A
上升时间
130 ns
输入电容值(Ciss)
1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.75 W
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 133W (Tc)

FQB55N06TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQB55N06TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.58 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.58 MByte

FQB55N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 55A
ON Semiconductor(安森美)
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