FQD13N10LTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD13N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V

FQD13N10L 系列 100 V 10 A 180 mOhm N 沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10TM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

D- PAK磁带和卷轴数据 D-PAK Tape and Reel Data