IXFN150N65X2

￥ 51.702

IXFN150N65X2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFN150N65X2 数据手册 (5 页)

或点击图片查看大图

IXFN150N65X2 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

漏源极电阻

17 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.04 kW

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

145A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

21000pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

IXFN150N65X2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFN150N65X2 符合标准

IXFN150N65X2 概述

IXFN150N65X2 数据手册

IXFN150N65X2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

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IXFN150N65 数据手册

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