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FQD19N10LTF
0.34
FQD19N10LTF 数据手册 (2 页)
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FQD19N10LTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
15.6 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
15.6 A
输入电容值(Ciss)
870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

FQD19N10LTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQD19N10LTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.4 MByte

FQD19N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD19N10LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD19N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10LTM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10TM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 15.6A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
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