FQD19N10TM

￥ 0.149

FQD19N10TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD19N10TM 数据手册 (2 页)

FQD19N10TM 数据手册 (2 页)

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FQD19N10TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

15.6 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.078 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

15.6 A

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

780pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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FQD19N10TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.1 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQD19N10TM 符合标准

FQD19N10TM 海关信息

FQD19N10TM 概述

FQD19N10TM 数据手册

FQD19N10TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.22 MByte

FQD19N10TM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD19N10TM 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FQD19N10TM 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.57 MByte

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Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

FQD19N10TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V

FQD19N10LTM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10LTM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

FQD19N10TM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10TM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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