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FQD2N60
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FQD2N60 数据手册 (7 页)
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FQD2N60 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
369AS

FQD2N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

FQD2N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.86 MByte

FQD2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD20N06TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FQD2N60CTM 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N80TM, 1.8 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
FQD2N90 系列 900 V 1.7 A 7.2 Ohm N-沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3
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