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ZXMP3A16N8TA
器件3D模型
0.296
ZXMP3A16N8TA 数据手册 (1 页)
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ZXMP3A16N8TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-6.70 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
70.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.8 W
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A
上升时间
6.5 ns
输入电容值(Ciss)
1022pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.9 W
下降时间
21.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2800 mW

ZXMP3A16N8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP3A16N8TA 数据手册

Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.28 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.15 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMP3A16N8 数据手册

Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMP3A16N8TA SO-8
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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