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FQN1N60CTA 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N60CTA, 300 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQN1N60CTA 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQN1N60CTA 数据手册 (8 页)

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FQN1N60CTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-226-3

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

170pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta), 3W (Tc)

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FQN1N60CTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQN1N60CTA 符合标准

FQN1N60CTA 概述

FQN1N60CTA 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.75 MByte

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