￥ 0.342

IRF200B211 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IRF200B211 系列 200 V 170 mOhm 法兰安装 HEXFET® 功率 Mosfet - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF200B211 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

IRF200B211 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF200B211 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.135 Ω

极性

N-Channel

功耗

80 W

阈值电压

4.9 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

9.5 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @50V(Vds)

下降时间

6.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80W (Tc)

查看数据手册 >

IRF200B211 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF200B211 符合标准

IRF200B211 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.53 MByte

IRF200B211 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF200B211 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF200B211 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF200B211 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF200 数据手册

ETC

IRF200P223 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IRF200P223 TO-247AC

IRF200P222 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 182 A, 200 V, 0.0053 ohm, 10 V, 4 V

IRF200B211 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF200B211 系列 200 V 170 mOhm 法兰安装 HEXFET® 功率 Mosfet - TO-220AB

IRF200S234 数据手册

Infineon（英飞凌）

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, 表面安装

IRF200B211 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF200S100RJ 数据手册

ETC

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号