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FQP10N60C
1.09
FQP10N60C 数据手册 (10 页)
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FQP10N60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
9.50 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.50 A
输入电容值(Ciss)
2040pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
156 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
156W (Tc)

FQP10N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQP10N60C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 1.43 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.81 MByte

FQP10N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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