FQP30N06

￥ 0.596

FQP30N06 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQP30N06 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQP30N06 数据手册 (8 页)

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FQP30N06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

N-Channel

功耗

79 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

85 ns

输入电容值(Ciss)

945pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

79 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

79W (Tc)

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FQP30N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FQP30N06 符合标准

FQP30N06 海关信息

FQP30N06 数据手册

FQP30N06 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.67 MByte

FQP30N06 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.76 MByte

FQP30N06 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.06 MByte

FQP30N06 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.5 MByte

FQP30 数据手册

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ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

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ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

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