器件3D模型

￥ 1.673

FQP30N06L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQP30N06L 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQP30N06L 数据手册 (8 页)

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FQP30N06L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

27 mΩ

功耗

79 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

210 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

79 W

下降时间

110 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

79 W

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FQP30N06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

查看数据手册 >

FQP30N06L 符合标准

FQP30N06L 概述

FQP30N06L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.7 MByte

FQP30N06L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.77 MByte

FQP30N06L 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

FQP30N06L 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

29 页 / 1.96 MByte

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