￥ 1.469

FQP33N10 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQP33N10 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQP33N10 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQP33N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.052 Ω

功耗

127 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

195 ns

输入电容值(Ciss)

1150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

127 W

下降时间

110 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

127 W

查看数据手册 >

FQP33N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

FQP33N10 符合标准

FQP33N10 概述

FQP33N10 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.43 MByte

FQP33N10 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.54 MByte

FQP33N10 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

29 页 / 1.96 MByte

FQP33 数据手册

FQP33N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP33N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V

FQP33N10 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

FQP33N10L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

FQP33N10L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号