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FQP33N10L
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FQP33N10L 数据手册 (8 页)
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FQP33N10L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
127W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
470 ns
输入电容值(Ciss)
1630pF @25V(Vds)
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
127W (Tc)

FQP33N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQP33N10L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.67 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

FQP33N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP33N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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