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FQP33N10 数据手册

型号系列:
FQP33N10 系列
分类:
MOS管
描述:
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
更新于: 2023/01/13 02:28:19 (UTC + 8)

FQP33N10 MOS管 数据手册

#1
FQP33N10

FQP33N10

数据手册 (11 )
2.6
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FQP33N10

FQP33N10

数据手册 (8 )
1.8
ON Semiconductor(安森美)
#3
FQP33N10L

FQP33N10L

数据手册 (8 )
1.0
Fairchild(飞兆/仙童)

FQP33N10 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.052 Ω
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FQP33N10 - ON Semiconductor(安森美) 概述

QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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