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FQP8N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQP8N60C 数据手册 (2 页)

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FQP8N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

7.50 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

147 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.50 A

上升时间

60.5 ns

输入电容值(Ciss)

1255pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

147 W

下降时间

64.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

147W (Tc)

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FQP8N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQP8N60C 符合标准

FQP8N60C 海关信息