Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > SPP21N50C3 Datasheet 文档
SPP21N50C3
1.295
SPP21N50C3 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPP21N50C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
560 V
额定电流
21.0 A
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
208 W
漏源极电压(Vds)
560 V
连续漏极电流(Ids)
21.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
208 W

SPP21N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
高度
9.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPP21N50C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.68 MByte

SPP21N50 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 560 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3HKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z