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FQPF12N60
2.66
FQPF12N60 数据手册 (8 页)
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FQPF12N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
10.5 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
700 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
输入电容
1.90 nF
栅电荷
54.0 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.80 A
上升时间
115 ns
输入电容值(Ciss)
1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
55 W
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
55W (Tc)

FQPF12N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQPF12N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.25 MByte

FQPF12 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道,600V,12A,650mΩ@10V
ON Semiconductor(安森美)
FQPF12N60C 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道 200V 7.3A
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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