￥ 1.088

FQPF12N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道,600V,12A,650mΩ@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQPF12N60C 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FQPF12N60C 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQPF12N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

51 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

650 mΩ

极性

N-Channel

功耗

51 W

输入电容

1.90 nF

栅电荷

54.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.80 A

上升时间

85 ns

输入电容值(Ciss)

2290pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

51 W

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

51W (Tc)

查看数据手册 >

FQPF12N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.87 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQPF12N60C 符合标准

FQPF12N60C 海关信息

FQPF12N60C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 1.14 MByte

FQPF12N60C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 1.25 MByte

FQPF12N60 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FQPF12N60 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF12N60C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道,600V,12A,650mΩ@10V

FQPF12N60C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF12N60C 管装

FQPF12N60T 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FQPF12N60CT 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FQPF12N60CT 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

FQPF12N60CT 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF12N60T 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF12N60T 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号