Web Analytics
Datasheet 搜索 > ON Semiconductor(安森美) > FQT1N60CTF-WS Datasheet 文档
FQT1N60CTF-WS
2.193

FQT1N60CTF-WS 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
9.3 Ω
功耗
2.1 W
阈值电压
4 V
输入电容
130 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
130pF @25V(Vds)
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2100 mW

FQT1N60CTF-WS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT1N60CTF-WS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
52 页 / 0.26 MByte

FQT1N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT1N60CTF_WS  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FQT1N60CTF-WS 编带
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET QFET 600V , 0.2 A , 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET QFET 600V , 0.2 A , 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z