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FQT7N10TF
0.249
FQT7N10TF 数据手册 (8 页)
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FQT7N10TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-1.00 A
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
4 V
输入电容
250 pF
栅电荷
7.50 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.70 A
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Tc)

FQT7N10TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT7N10TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.76 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FQT7N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT7N10LTF, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT7N10TF, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
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