￥ 0.421

IRFP150N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFP150N 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFP150N 数据手册 (10 页)

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IRFP150N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

42.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

36.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

160W (Tc)

零部件系列

IRFP150N

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

42.0 A

上升时间

56 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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IRFP150N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP150N 符合标准

IRFP150N 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 1.44 MByte

IRFP150N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP150N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP150N 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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