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GA200SA60U
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GA200SA60U 数据手册 (8 页)
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GA200SA60U 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
功耗
500000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
输入电容值(Cies)
16.5nF @30V
额定功率(Max)
500 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500000 mW

GA200SA60U 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
高度
12.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

GA200SA60U 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.12 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.19 MByte

GA200SA60 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
绝缘栅双极晶体管(超快速度IGBT ) , 100 A Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
VISHAY(威世)
绝缘栅双极晶体管超低的VCE(on ) , 342 Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A
Vishay Semiconductor(威世)
绝缘栅双极晶体管超低的VCE(on ) , 342 Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A
Vishay Semiconductor(威世)
绝缘栅双极晶体管(超快速度IGBT ) , 100 A Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
绝缘栅双极晶体管超低的VCE(on ) , 342 Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A
VISHAY(威世)
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