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GRM21BR61A106KE19K
器件3D模型
0.017
GRM21BR61A106KE19K 数据手册 (3 页)
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GRM21BR61A106KE19K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
10.0 V
电容
10 µF
容差
±10 %
封装(公制)
2012
封装
0805
电介质特性
X5R
零部件系列
GRM
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
10 V

GRM21BR61A106KE19K 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
X5R/-55℃~+85℃
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 85℃
厚度
1.25 mm
温度系数
±15 %
最小包装数量
10000

GRM21BR61A106KE19K 数据手册

muRata(村田)
2 页 / 3.11 MByte
muRata(村田)
182 页 / 3.86 MByte
muRata(村田)
206 页 / 6.19 MByte

GRM21BR61A106KE19 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
muRata(村田)
MURATA  GRM21BR61A106KE19L  多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 10 µF, ± 10%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制]
muRata(村田)
0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
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