GT50JR22(STA1,E,S)

￥ 2.288

GT50JR22(STA1,E,S) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

GT50JR22(STA1,E,S) 数据手册 (7 页)

或点击图片查看大图

GT50JR22(STA1,E,S) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

功耗

230000 mW

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

230000 mW

GT50JR22(STA1,E,S) 符合标准

GT50JR22(STA1,E,S) 海关信息

GT50JR22(STA1,E,S) 数据手册

GT50JR22(STA1,E,S) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

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GT50JR22STA1 数据手册

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