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H11F3M
器件3D模型
2.187
H11F3M 数据手册 (14 页)
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H11F3M 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
DIP-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.3 V
功耗
300 mW
隔离电压
7.5 kV
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
15 V
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
60 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

H11F3M 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
-40℃ ~ 100℃

H11F3M 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
50 页 / 1.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.57 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.15 MByte

H11F3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PHOTO FET光耦合器 PHOTO FET OPTOCOUPLERS
ON Semiconductor(安森美)
ISOCOM Components(安数光)
Intersil(英特矽尔)
QT Optoelectronics
TT Electronics/Optek Technology
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FET 输出,Fairchild Semiconductor光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
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