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Datasheet 搜索 > 光耦合器/光隔离器 > ON Semiconductor(安森美) > H11F3SM Datasheet 文档
H11F3SM
器件3D模型
3.609
H11F3SM 数据手册 (11 页)
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H11F3SM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PDIP-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.3 V
输入电流
60 mA
功耗
300 mW
上升时间
45 µs
隔离电压
7500 VAC
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
60 mA
下降时间
45 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

H11F3SM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
工作温度
-40℃ ~ 100℃

H11F3SM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 2.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
50 页 / 1.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.57 MByte

H11F3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PHOTO FET光耦合器 PHOTO FET OPTOCOUPLERS
ON Semiconductor(安森美)
ISOCOM Components(安数光)
Intersil(英特矽尔)
QT Optoelectronics
TT Electronics/Optek Technology
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FET 输出,Fairchild Semiconductor光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT/MOSFET 栅极驱动,Fairchild Semiconductor### 光耦合器,Fairchild Semiconductor
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