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HFA3096BZ
器件3D模型
3.925
HFA3096BZ 数据手册 (13 页)
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HFA3096BZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
8.00 V
额定电流
65.0 mA
封装
SOIC-16
针脚数
16 Position
极性
NPN, PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12V, 15V
集电极最大允许电流
0.065A
最小电流放大倍数
20
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
130
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

HFA3096BZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

HFA3096BZ 数据手册

Intersil(英特矽尔)
13 页 / 0.29 MByte
Intersil(英特矽尔)
11 页 / 0.18 MByte
Intersil(英特矽尔)
1 页 / 0.15 MByte

HFA3096 数据手册

Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  HFA3096BZ  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130 hFE, SOIC
Intersil(英特矽尔)
超高频晶体管阵列 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Intersil(英特矽尔)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
晶体管阵列,Intersil晶体管之间完全隔离### 双极晶体管,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Intersil(英特矽尔)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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