￥ 1.971

IKB15N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IKB15N60T 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IKB15N60T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

130 W

功耗

130 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

34 ns

额定功率(Max)

130 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

查看数据手册 >

IKB15N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IKB15N60T 符合标准

IKB15N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.79 MByte

IKB15N60T 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IKB15N60T 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IKB15N60T 开发手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 2 MByte

IKB15N60 数据手册

IKB15N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

IKB15N60TATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 晶体管 Infineon"s TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod

IKB15N60TXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号