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HGTG18N120BND 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGTG18N120BND 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

HGTG18N120BND 数据手册 (9 页)

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HGTG18N120BND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

54.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

390 W

上升时间

22.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

75 ns

额定功率(Max)

390 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

390 W

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HGTG18N120BND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

4.82 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGTG18N120BND 符合标准

HGTG18N120BND 海关信息

HGTG18N120BND 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.25 MByte

HGTG18N120BND 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

20 页 / 2.6 MByte

HGTG18N120BND 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.03 MByte

HGTG18N120BND 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.44 MByte

HGTG18N120BND 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

HGTG18N120 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

HGTG18N120BN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

HGTG18N120BND 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor HGTG18N120BND N沟道 IGBT, 54 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

HGTG18N120BND 数据手册

Intersil（英特矽尔）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTG18N120BN 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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Fairchild（飞兆/仙童）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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