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HGTG5N120BND
1.815
HGTG5N120BND 数据手册 (8 页)
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HGTG5N120BND 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
21.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
167 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
65 ns
额定功率(Max)
167 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
167000 mW

HGTG5N120BND 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

HGTG5N120BND 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte

HGTG5N120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
21A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的与反并联二极管超高速 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
21A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的与反并联二极管超高速 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
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