￥ 0.012

VND5N07-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

TO-252-3

描述:

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制热关闭短路保护 ESD 保护一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND5N07-E 数据手册 (22 页)

原理图在5 页

VND5N07-E 数据手册 (22 页)

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VND5N07-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

7 A

供电电流

0.25 mA

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

55 V

漏源极电压(Vds)

70 V

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

3.5 A

输出电流(Min)

5 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

输入电压

18 V

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VND5N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND5N07-E 符合标准

VND5N07-E 海关信息

VND5N07-E 概述