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HGTP7N60A4
0.879
HGTP7N60A4 数据手册 (8 页)
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HGTP7N60A4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
34.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
125 W
上升时间
11 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
125 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

HGTP7N60A4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

HGTP7N60A4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

HGTP7N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP7N60A4  单晶体管, IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的与反并联二极管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP7N60C3D..  单晶体管, IGBT, 14 A, 1.6 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, IGBT, 600V, 14A
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
HGTP7N60B3D 管装
ON Semiconductor(安森美)
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