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STD60N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD60N3LH5 数据手册 (19 页)

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STD60N3LH5 数据手册 (19 页)

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STD60N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STD60N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD60N3LH5 符合标准

STD60N3LH5 概述

STD60N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.83 MByte

STD60N3LH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.84 MByte

STD60N3LH5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.85 MByte

STD60N3 数据手册

STD60N3LH5-H 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STD60N3LH5_09 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

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