器件3D模型

￥ 0.892

HIP2100EIBZ 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HIP2100EIBZ 数据手册 (13 页)

引脚图在6 页Hot

封装尺寸在1 页 12 页

原理图在2 页 3 页

HIP2100EIBZ 数据手册 (13 页)

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HIP2100EIBZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

10 ns

输出接口数

2 Output

电源电压

9V ~ 14V

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HIP2100EIBZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

4.89 mm

宽度

3.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HIP2100EIBZ 符合标准

HIP2100EIBZ 概述

HIP2100EIBZ 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

13 页 / 0.37 MByte

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