器件3D模型

￥ 2.78

HIP2101IBZT 数据手册 - Intersil（英特矽尔）

制造商:

Intersil（英特矽尔）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

HIP2101 系列低压侧/高压侧 N沟道 114 V 2 A 半桥驱动器 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HIP2101IBZT 数据手册 (13 页)

引脚图在6 页Hot

封装尺寸在1 页 10 页 12 页

原理图在2 页 3 页

HIP2101IBZT 数据手册 (13 页)

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HIP2101IBZT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

9.00V (min)

封装

SOIC-8

上升/下降时间

10 ns

输出接口数

2 Output

功耗

1.3 W

上升时间

600 ns

下降时间

600 ns

下降时间(Max)

600 ns

上升时间(Max)

600 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

电源电压

9V ~ 14V

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HIP2101IBZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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HIP2101IBZT 符合标准

HIP2101IBZT 海关信息

HIP2101IBZT 数据手册

Intersil（英特矽尔）

13 页 / 0.34 MByte

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Intersil（英特矽尔）

15 页 / 1.35 MByte

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