￥ 2.422

IPI60R199CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPI60R199CP 数据手册 (10 页)

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IPI60R199CP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

16.0 A

封装

TO-262-3

极性

N-Channel

功耗

139 W

输入电容

1.52 nF

栅电荷

43.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

16.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1520pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

139 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IPI60R199CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

长度

10.2 mm

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPI60R199CP 符合标准

IPI60R199CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.37 MByte

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