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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Intersil(英特矽尔) > HIP6601BECB-T Datasheet 文档
HIP6601BECB-T
器件3D模型
5.01
HIP6601BECB-T 数据手册 (14 页)
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HIP6601BECB-T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
电源电压
12.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20 ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4.40 mA
电源电压
10.8V ~ 13.2V

HIP6601BECB-T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
0℃ ~ 125℃ (TJ)

HIP6601BECB-T 数据手册

Intersil(英特矽尔)
14 页 / 0.34 MByte
Intersil(英特矽尔)
11 页 / 0.33 MByte

HIP6601 数据手册

Intersil(英特矽尔)
同步整流降压MOSFET驱动器 Synchronous-Rectified Buck MOSFET Drivers
Intersil(英特矽尔)
同步整流降压MOSFET驱动器 Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
Intersil(英特矽尔)
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同步整流降压MOSFET驱动器 Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
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