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Datasheet 搜索 > 放大器IC与RF模块 > ADI(亚德诺) > HMC1040LP3CE Datasheet 文档
HMC1040LP3CE
器件3D模型
86.919
HMC1040LP3CE 数据手册 (9 页)
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HMC1040LP3CE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
24GHz ~ 43.5GHz
引脚数
16 Pin
电源电压
2.50V (max)
封装
QFN-16
通道数
1 Channel
功耗
0.49 W
输出功率
12 dBm
增益
20 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
490 mW
电源电压(Max)
2.5 V

HMC1040LP3CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HMC1040LP3CE 数据手册

ADI(亚德诺)
9 页 / 0.99 MByte
ADI(亚德诺)
16 页 / 0.78 MByte
ADI(亚德诺)
9 页 / 0.18 MByte

HMC1040LP3 数据手册

ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
Analog Devices HittiteAnalog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 (HBT) MMIC 驱动器放大器。 ### 射频 (RF) 放大器,Analog Devices
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